{"id":90554,"date":"2019-12-23T20:00:19","date_gmt":"2019-12-23T19:00:19","guid":{"rendered":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/tranzystory-unipolarne-mosfet-jak-to-dziala\/"},"modified":"2024-09-25T14:54:36","modified_gmt":"2024-09-25T12:54:36","slug":"unipolarni-tranzistory-mosfet-co-jsou-zac-jak-funguji-vysvetleni-pro-zacatecniky","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/botland.cz\/blog\/unipolarni-tranzistory-mosfet-co-jsou-zac-jak-funguji-vysvetleni-pro-zacatecniky\/","title":{"rendered":"Unipol\u00e1rn\u00ed tranzistory (MOSFET) – co jsou za\u010d? Jak funguj\u00ed? Vysv\u011btlen\u00ed pro za\u010d\u00e1te\u010dn\u00edky"},"content":{"rendered":"\u010cas \u010dten\u00ed:<\/span> 9<\/span> min.<\/span><\/span>\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t
\n\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

V unipol\u00e1rn\u00edm tranzistoru<\/b><\/a> se proud \u0159\u00edd\u00ed pomoc\u00ed elektrick\u00e9ho pole a z\u00e1kladn\u00ed sou\u010d\u00e1st\u00ed jeho konstrukce je polovodi\u010dov\u00fd krystal spolu se dv\u011bma diodami<\/strong>. Tyto tranzistory, naz\u00fdvan\u00e9 tak\u00e9 tranzistory s efektem pole, jsou polovodi\u010de a \u0159\u00edd\u00ed velikost proudu, kter\u00fd jimi prot\u00e9k\u00e1. Existuje n\u011bkolik typ\u016f a variant unipol\u00e1rn\u00edch tranzistor\u016f, ale nej\u010dast\u011bji se pou\u017e\u00edvaj\u00ed tranzistory MOSFET<\/strong>. Jejich hlavn\u00edm \u00fa\u010delem je fungovat jako sp\u00ednac\u00ed kl\u00ed\u010d pro sou\u010d\u00e1stky, kter\u00e9 spot\u0159ebov\u00e1vaj\u00ed velk\u00fd v\u00fdkon. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\t\tTranzistory - ceny<\/span>\n\t\t\t\t\t<\/span>\n\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Historie tranzistoru <\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Historie tranzistor\u016f<\/a> <\/b>za\u010dala v roce 1925, kdy byl v n\u011bkolika zem\u00edch sv\u011bta ud\u011blen prvn\u00ed patent na toto za\u0159\u00edzen\u00ed. Zaj\u00edmav\u00e9 je, \u017ee p\u016fvodn\u00ed n\u00e1vrh Julia Edgara Lilienfelda (polsk\u00e9ho fyzika \u017eidovsk\u00e9ho p\u016fvodu) byl tranzistor podobn\u00fd strukturou tranzistor\u016fm typu MOSFET. Tento model v\u0161ak z\u016fstal pouze ve f\u00e1zi n\u00e1vrhu, a to p\u0159edev\u0161\u00edm kv\u016fli nedostatku technologick\u00fdch mo\u017enost\u00ed pro jeho v\u00fdrobu. Prvn\u00ed \u0159\u00e1dn\u011b vyroben\u00e9 tranzistory spat\u0159ily sv\u011btlo sv\u011bta a\u017e po roce 1950. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Struktura typick\u00e9ho unipol\u00e1rn\u00edho tranzistoru<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Pro za\u010d\u00e1tek je vhodn\u00e9 sezn\u00e1mit se s p\u0159esnou strukturou unipol\u00e1rn\u00edho tranzistoru. Jeho hlavn\u00ed sou\u010d\u00e1st\u00ed je dopovan\u00fd polovodi\u010dov\u00fd krystal se dv\u011bma elektrodami. Jednou z nich je zdroj, ozna\u010dovan\u00fd p\u00edsmenem S, a druhou je odvod, ozna\u010dovan\u00fd p\u00edsmenem D. Mezi t\u011bmito dv\u011bma elektrodami je vytvo\u0159en tzv. kan\u00e1l. Mezi t\u011bmito elektrodami je vytvo\u0159en tzv. kan\u00e1l, kter\u00fdm prot\u00e9k\u00e1 proud. Pod\u00e9l kan\u00e1lu se nach\u00e1z\u00ed t\u0159et\u00ed elektroda, hradlo, ozna\u010den\u00e9 p\u00edsmenem G (anglicky: gate). <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

MOSFET - z\u00e1kladn\u00ed informace a konstrukce<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor<\/b>) je varianta unipol\u00e1rn\u00edho tranzistoru s nejv\u011bt\u0161\u00ed popularitou. Je sestaven z n\u011bkolika z\u00e1kladn\u00edch prvk\u016f, kter\u00e9 jsou specifick\u00e9 pouze pro toto za\u0159\u00edzen\u00ed. Pat\u0159\u00ed k nim hradlo G, zdroj S, odtok D, substr\u00e1t B a tak\u00e9 pomocn\u00e9 \u010d\u00e1sti v podob\u011b polovodi\u010de P a izolantu nebo prostoru pro kan\u00e1l N. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Na substr\u00e1tu v podob\u011b polovodi\u010dov\u00e9 desti\u010dky typu P nebo N jsou dv\u011b oblasti N+ nebo P+, kter\u00e9 d\u00edky vysok\u00e9mu dopov\u00e1n\u00ed tvo\u0159\u00ed drain a source. Pr\u00e1v\u011b na n\u011b jsou p\u0159ivedeny kontakty. Mezi drainem a zdrojem je povrch polovodi\u010de, kter\u00fd je pokryt vrstvou izolantu tenkou n\u011bkolik nanometr\u016f. Hr\u00e1z je tvo\u0159ena kovem napr\u00e1\u0161en\u00fdm na izol\u00e1tor. Zaj\u00edmav\u00e9 je, \u017ee velk\u00fd elektrostatick\u00fd n\u00e1boj (m\u016f\u017ee dosahovat a\u017e n\u011bkolika des\u00edtek kilovolt\u016f!) je schopen po\u0161kodit za\u0159\u00edzen\u00ed t\u00edm, \u017ee fyzicky prop\u00e1l\u00ed tenkou izola\u010dn\u00ed vrstvu. Aby se tomu zabr\u00e1nilo, je mnoho elektronick\u00fdch tranzistor\u016f MOS ulo\u017eeno ve vodiv\u00fdch f\u00f3li\u00edch. Tento bezpe\u010dnostn\u00ed prvek v\u017edy zabra\u0148uje p\u0159\u00edm\u00e9mu pr\u016fniku statick\u00e9 elekt\u0159iny do obvod\u016f. <\/p>\n

V kan\u00e1lu prot\u00e9k\u00e1 proud mezi drainem a zdrojem a zm\u011bna nap\u011bt\u00ed na veden\u00ed source-gate je zodpov\u011bdn\u00e1 za jeho \u0159\u00edzen\u00ed. V elektronice se setk\u00e1v\u00e1me se dv\u011bma typy tranzistor\u016f MOS: s obohacen\u00fdm kan\u00e1lem a s ochuzen\u00fdm kan\u00e1lem. Obohacen\u00fd kan\u00e1l, zn\u00e1m\u00fd tak\u00e9 jako indukovan\u00fd kan\u00e1l, se vytvo\u0159\u00ed pouze tehdy, kdy\u017e nap\u011bt\u00ed na linii hradlo-stroj p\u0159ekro\u010d\u00ed prahov\u00e9 nap\u011bt\u00ed Ut. Naproti tomu u ochuzen\u00e9ho kan\u00e1lu existuje kan\u00e1l i tehdy, kdy\u017e je nap\u011bt\u00ed na linii hradlo-zdroj nulov\u00e9. MOSFETy jsou nav\u00edc velmi rychl\u00e9, zejm\u00e9na ve srovn\u00e1n\u00ed s bipol\u00e1rn\u00edmi tranzistory, a to p\u0159edev\u0161\u00edm d\u00edky tomu, \u017ee jevy, kter\u00e9 v nich prob\u00edhaj\u00ed, jsou \u010dist\u011b elektrostatick\u00e9. <\/p>\n

Tranzistory MOSFET jsou polarizov\u00e1ny tak, \u017ee jedna nosn\u00e1 proud\u00ed ve sm\u011bru od zdroje ke sp\u00e1du, tak\u017ee existuj\u00ed dva pracovn\u00ed rozsahy: nasycen\u00fd a nenasycen\u00fd. Rozsah je ur\u010den nap\u011bt\u00edm vyvinut\u00fdm ve sm\u011bru od zdroje ke stoce, a pokud je v\u011bt\u0161\u00ed ne\u017e satura\u010dn\u00ed nap\u011bt\u00ed, tranzistor je v nasycen\u00e9m rozsahu. <\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Tranzistory s p\u0159echodov\u00fdm polem <\/h3>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Tranzistory s p\u0159echodov\u00fdm polem, zn\u00e1m\u00e9 tak\u00e9 jako JFET, se vyzna\u010duj\u00ed zcela odli\u0161nou strukturou ne\u017e tranzistory MOSFET. Skl\u00e1daj\u00ed se z polovodi\u010de typu N nebo P a dopovan\u00e9 polovodi\u010dov\u00e9 vrstvy opa\u010dn\u00e9ho typu (P+ a N+), \u010d\u00edm\u017e vznik\u00e1 p-n p\u0159echod. T\u0159i zakon\u010den\u00ed jsou vyvedena ven v podob\u011b zdroje S, sp\u00e1du D a hradla G. Poln\u00ed tranzistor m\u016f\u017ee d\u00edky sv\u00fdm vlastnostem pracovat ve t\u0159ech rozsaz\u00edch. Line\u00e1rn\u00ed, kde proud drainem z\u00e1vis\u00ed na nap\u011bt\u00ed, a proto se chov\u00e1 jako rezistor. Nasycen\u00ed, kdy proud drain z\u00e1vis\u00ed pouze na nap\u011bt\u00ed na veden\u00edch gate-source a nap\u011bt\u00ed source-drain mus\u00ed p\u0159ekro\u010dit ur\u010ditou hodnotu, a lavinov\u00e9 n\u00e1soben\u00ed. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Tranzistory s p\u0159echodov\u00fdm polem, zn\u00e1m\u00e9 tak\u00e9 jako JFET, se vyzna\u010duj\u00ed zcela odli\u0161nou strukturou ne\u017e tranzistory MOSFET. Skl\u00e1daj\u00ed se z polovodi\u010de typu N nebo P a dopovan\u00e9 polovodi\u010dov\u00e9 vrstvy opa\u010dn\u00e9ho typu (P+ a N+), \u010d\u00edm\u017e vznik\u00e1 p-n p\u0159echod. T\u0159i zakon\u010den\u00ed jsou vyvedena ven v podob\u011b zdroje S, sp\u00e1du D a hradla G. Poln\u00ed tranzistor m\u016f\u017ee d\u00edky sv\u00fdm vlastnostem pracovat ve t\u0159ech rozsaz\u00edch. Line\u00e1rn\u00ed, kde proud drainem z\u00e1vis\u00ed na nap\u011bt\u00ed, a proto se chov\u00e1 jako rezistor. Nasycen\u00ed, kdy proud drain z\u00e1vis\u00ed pouze na nap\u011bt\u00ed na veden\u00edch gate-source a nap\u011bt\u00ed source-drain mus\u00ed p\u0159ekro\u010dit ur\u010ditou hodnotu, a lavinov\u00e9 n\u00e1soben\u00ed. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Tranzistory s izolovan\u00fdm hradlem<\/h3>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

U izolovan\u00fdch model\u016f je hradlo od kan\u00e1lu odd\u011bleno dielektrikem neboli izola\u010dn\u00ed vrstvou. Tyto tranzistory se skl\u00e1daj\u00ed ze t\u0159\u00ed elektrod, a to hradla G (n\u011bkdy v\u00edce ne\u017e 1), odvodu D a zdroje S, a v n\u011bkter\u00fdch p\u0159\u00edpadech tak\u00e9 ze substr\u00e1tu B v roli \u010dtvrt\u00e9 elektrody. Poln\u00ed tranzistory se velmi \u010dasto pou\u017e\u00edvaj\u00ed jako rychl\u00e9 sp\u00edna\u010de ve sp\u00ednan\u00fdch zdroj\u00edch, v integrovan\u00fdch obvodech a tak\u00e9 jako diskr\u00e9tn\u00ed sou\u010d\u00e1stky. Zaj\u00edmav\u00e9 je, \u017ee existuj\u00ed dva typy tranzistor\u016f s izolovan\u00fdm hradlem, kter\u00e9 se li\u0161\u00ed technikou v\u00fdroby. MISFET nebo MOSFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor nebo Metal Oxide Semiconductor Field Effect Insulator) je model vyroben\u00fd z monokrystalick\u00e9ho vodi\u010de s izolantem z oxidu k\u0159emi\u010dit\u00e9ho. Naproti tomu tranzistor s izolovan\u00fdm hradlem TFT (Thin Film Transistor) je vyroben z polykrystalick\u00e9ho polovodi\u010de. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Parametry tranzistor\u016f MOSFET <\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Ka\u017ed\u00fd tranzistor MOSFET je charakterizov\u00e1n \u0159adou parametr\u016f, kter\u00e9 je t\u0159eba vz\u00edt v \u00favahu p\u0159i v\u00fdb\u011bru konkr\u00e9tn\u00edho modelu.<\/p>\n

Mezi nejd\u016fle\u017eit\u011bj\u0161\u00ed z nich pat\u0159\u00ed p\u0159\u00edpustn\u00e9 nap\u011bt\u00ed drain-source, ozna\u010dovan\u00e9 symbolem UDSmax<\/span>. P\u0159\u00edli\u0161 vysok\u00e1 hodnota tohoto parametru m\u016f\u017ee zp\u016fsobit poruchy, kter\u00e9 mohou v\u00e9st k \u00fapln\u00e9mu a nevratn\u00e9mu po\u0161kozen\u00ed tranzistoru. <\/p>\n

Druh\u00fdm parametrem, stejn\u011b d\u016fle\u017eit\u00fdm a nezbytn\u00fdm, je maxim\u00e1ln\u00ed odtokov\u00fd proud, ozna\u010dovan\u00fd symbolem IDmax<\/span>. Pokud je proud v MOSFETu p\u0159\u00edli\u0161 vysok\u00fd, m\u016f\u017ee se st\u00e1t, \u017ee se sp\u00e1l\u00ed jeho struktura i vnit\u0159n\u00ed spoje. <\/p>\n

T\u0159et\u00edm parametrem je otev\u00edrac\u00ed prahov\u00e9 nap\u011bt\u00ed, kter\u00e9 se symbolizuje jako UGSth<\/span> a je pom\u011brn\u011b snadno pochopiteln\u00e9. Je to nap\u011bt\u00ed hradlo-zdroj, p\u0159i kter\u00e9m se tranzistor za\u010d\u00edn\u00e1 otev\u00edrat, tj. kdy\u017e proud odtoku nab\u00fdv\u00e1 hodnoty 1 mA. Lze tedy p\u0159edpokl\u00e1dat, \u017ee pro nap\u011bt\u00ed na hradle men\u0161\u00ed ne\u017e UGSth<\/span> z\u016fst\u00e1v\u00e1 tranzistor zcela uzav\u0159en, tj. drainem neprot\u00e9k\u00e1 \u017e\u00e1dn\u00fd proud, a odpor je velmi vysok\u00fd. S postupn\u00fdm zvy\u0161ov\u00e1n\u00edm nap\u011bt\u00ed se odpor sni\u017euje a tranzistor se za\u010d\u00edn\u00e1 st\u00e1le v\u00edce otev\u00edrat. Tento jev souvis\u00ed se \u010dtvrt\u00fdm parametrem ozna\u010den\u00fdm RDSon<\/span>, co\u017e je odpor mezi drainem a zdrojem. <\/p>\n

Z anal\u00fdzy v\u00fd\u0161e popsan\u00fdch parametr\u016f lze odvodit, \u017ee nejlep\u0161\u00ed model MOSFETu by m\u011bl m\u00edt co nejvy\u0161\u0161\u00ed nap\u011bt\u00ed UDSmax<\/span> a z\u00e1rove\u0148 co nejni\u017e\u0161\u00ed odpor RDSon<\/span>. <\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
Tranzistory MOSFET<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\t\tPOD\u00cdVEJTE SE NA<\/span>\n\t\t\t\t\t<\/span>\n\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

T\u0159i kl\u00ed\u010dov\u00e9 parametry<\/h3>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Ka\u017ed\u00fd tranzistor MOSFET je charakterizov\u00e1n \u0159adou parametr\u016f, kter\u00e9 je t\u0159eba vz\u00edt v \u00favahu p\u0159i v\u00fdb\u011bru konkr\u00e9tn\u00edho modelu. <\/p>\n

Mezi nejd\u016fle\u017eit\u011bj\u0161\u00ed z nich pat\u0159\u00ed p\u0159\u00edpustn\u00e9 nap\u011bt\u00ed drain-source, ozna\u010dovan\u00e9 symbolem U<\/span>DSmax<\/span>.\nZbyt du\u017ca warto\u015b\u0107 tego parametru mo\u017ce spowodowa\u0107 przebicia, kt\u00f3re mog\u0105 doprowadzi\u0107 do ca\u0142kowitego i nieodwracalnego uszkodzenia tranzystora. <\/span><\/p>\n

Druh\u00fdm parametrem, stejn\u011b d\u016fle\u017eit\u00fdm a nezbytn\u00fdm, je maxim\u00e1ln\u00ed odtokov\u00fd proud, ozna\u010dovan\u00fd symbolem IDmax<\/span>. Pokud je proud v MOSFETu p\u0159\u00edli\u0161 vysok\u00fd, m\u016f\u017ee se st\u00e1t, \u017ee se sp\u00e1l\u00ed jeho struktura i vnit\u0159n\u00ed spoje. <\/p>\n

T\u0159et\u00edm parametrem je otev\u00edrac\u00ed prahov\u00e9 nap\u011bt\u00ed, kter\u00e9 se symbolizuje jako UGSth<\/span> a je pom\u011brn\u011b snadno pochopiteln\u00e9. Je to nap\u011bt\u00ed hradlo-zdroj, p\u0159i kter\u00e9m se tranzistor za\u010d\u00edn\u00e1 otev\u00edrat, tj. kdy\u017e proud odtoku nab\u00fdv\u00e1 hodnoty 1 mA. Lze tedy p\u0159edpokl\u00e1dat, \u017ee pro nap\u011bt\u00ed na hradle men\u0161\u00ed ne\u017e UGSth<\/span> z\u016fst\u00e1v\u00e1 tranzistor zcela uzav\u0159en, tj. drainem neprot\u00e9k\u00e1 \u017e\u00e1dn\u00fd proud, a odpor je velmi vysok\u00fd. S postupn\u00fdm zvy\u0161ov\u00e1n\u00edm nap\u011bt\u00ed se odpor sni\u017euje a tranzistor se za\u010d\u00edn\u00e1 st\u00e1le v\u00edce otev\u00edrat. Tento jev souvis\u00ed se \u010dtvrt\u00fdm parametrem ozna\u010den\u00fdm RDSon<\/span>, co\u017e je odpor mezi drainem a zdrojem. <\/p>\n

Z anal\u00fdzy v\u00fd\u0161e popsan\u00fdch parametr\u016f lze odvodit, \u017ee nejlep\u0161\u00ed model MOSFETu by m\u011bl m\u00edt co nejvy\u0161\u0161\u00ed nap\u011bt\u00ed UDSmax<\/span> a z\u00e1rove\u0148 co nejni\u017e\u0161\u00ed odpor RDSon<\/span>.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Rozd\u00edly - MOSFET versus bipol\u00e1rn\u00ed tranzistor<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Je t\u0159eba v\u011bd\u011bt, \u017ee popsan\u00e9 tranzistory MOSFET se od bipol\u00e1rn\u00edch tranzistor\u016f li\u0161\u00ed jednou vlastnost\u00ed, a sice t\u00edm, \u017ee u nich s rostouc\u00ed teplotou roste i kolektorov\u00fd proud, co\u017e m\u016f\u017ee znemo\u017enit p\u0159\u00edm\u00e9 paraleln\u00ed zapojen\u00ed n\u011bkolika tranzistor\u016f. V takov\u00e9m p\u0159\u00edpad\u011b bude nutn\u00e9 pou\u017e\u00edt vyva\u017eovac\u00ed rezistory v emitoru, proto\u017ee bez toho budou jednotliv\u00e9 tranzistory p\u0159i velk\u00e9m zat\u00ed\u017een\u00ed postupn\u011b vyho\u0159\u00edvat, co\u017e povede k jejich \u00fapln\u00e9mu a nevratn\u00e9mu po\u0161kozen\u00ed. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Pozor! P\u0159\u00ed\u010diny po\u0161kozen\u00ed tranzistor\u016f MOSFET <\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
Sp\u00e1len\u00fd bipol\u00e1rn\u00ed tranzistor<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Tranzistory MOSFET (unipol\u00e1rn\u00ed) jsou vzhledem ke sv\u00e9 technick\u00e9 konstrukci velmi citliv\u00e9 na elektrostatick\u00fd n\u00e1boj, co\u017e je opak velmi odoln\u00fdch bipol\u00e1rn\u00edch tranzistor\u016f. Maxim\u00e1ln\u00ed nap\u011bt\u00ed UGS <\/span>se u v\u011bt\u0161iny model\u016f obvykle pohybuje kolem 20 V, co\u017e znamen\u00e1, \u017ee m\u016f\u017ee b\u00fdt snadno p\u0159ekro\u010deno bez jak\u00e9hokoli pov\u011bdom\u00ed, a to i dotykem tranzistoru ve zcela such\u00e9 m\u00edstnosti. Tranzistory se z n\u011bjak\u00e9ho d\u016fvodu skladuj\u00ed v antistatick\u00fdch s\u00e1\u010dc\u00edch, n\u011bkdy tak\u00e9 v \u010dern\u00e9 vodiv\u00e9 houb\u011b. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Kde pou\u017e\u00edt unipol\u00e1rn\u00ed tranzistory MOSFET? <\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Pod\u00edvejme se, v jak\u00fdch situac\u00edch budou MOSFETy fungovat nejl\u00e9pe. Zaprv\u00e9 z\u00e1le\u017e\u00ed na nap\u00e1jen\u00ed. MOSFETy funguj\u00ed nejl\u00e9pe, kdy\u017e jsou nap\u00e1jeny velmi n\u00edzk\u00fdm nap\u011bt\u00edm. Jejich konstrukce jim to umo\u017e\u0148uje – ke sv\u00e9 \u010dinnosti pot\u0159ebuj\u00ed nap\u011bt\u00ed pouze 0,7 V, p\u0159i kter\u00e9m v\u0161ak unipol\u00e1rn\u00ed tranzistor je\u0161t\u011b nebude zcela otev\u0159en\u00fd. <\/p>\n

Proto\u017ee ovlada\u010d m\u016f\u017ee p\u0159iv\u00e1d\u011bt vysok\u00fd potenci\u00e1l pouze do tranzistoru MOSFET, nikoliv samotn\u00fd proud, budou tato za\u0159\u00edzen\u00ed nejl\u00e9pe fungovat pro \u0159\u00edzen\u00ed z\u00e1t\u011b\u017e\u00ed odeb\u00edraj\u00edc\u00edch mnoho amp\u00e9r\u016f. K \u00fapln\u00e9mu otev\u0159en\u00ed tranzistoru je t\u0159eba p\u0159ilo\u017eit nap\u011bt\u00ed n\u011bkolikan\u00e1sobn\u011b vy\u0161\u0161\u00ed (tzv. zap\u00ednac\u00ed nap\u011bt\u00ed), ne\u017e je prahov\u00e9 nap\u011bt\u00ed, kter\u00e9 se pak p\u0159ilo\u017e\u00ed mezi hradlo a zdroj. Unipol\u00e1rn\u00ed tranzistory se skv\u011ble hod\u00ed pro konstrukce, kde z\u00e1le\u017e\u00ed na odb\u011bru proudu, proto\u017ee v n\u011bkter\u00fdch obvodech nap\u00e1jen\u00fdch z baterie m\u016f\u017ee odb\u011br proudu o n\u011bkolik mikrometr\u016f znamenat obrovsk\u00fd rozd\u00edl. V tranzistoru MOSFET je ulo\u017eeno p\u0159ibli\u017en\u011b 0,2 V pevn\u00e9ho nap\u011bt\u00ed, kter\u00e9 se v\u0161ak u v\u00fdkonn\u00fdch model\u016f n\u011bkdy mnohon\u00e1sobn\u011b zvy\u0161uje. Toto nap\u011bt\u00ed je ulo\u017eeno mezi kolektorem a emitorem a v tomto okam\u017eiku je tranzistor MOSFET pln\u011b nasycen. \u00dabytek nap\u011bt\u00ed na tomto typu tranzistoru z\u00e1vis\u00ed na prot\u00e9kaj\u00edc\u00edm proudu, proto\u017ee jejich charakteristikou je pouze odpor otev\u0159en\u00e9ho kan\u00e1lu. <\/span><\/p>\n

<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Provozn\u00ed podm\u00ednky tranzistoru<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Podm\u00ednky pro spr\u00e1vnou funkci tranzistoru jsou obecn\u011b omezeny r\u016fzn\u00fdmi faktory. Za zm\u00ednku stoj\u00ed p\u0159\u00edpustn\u00e9 kolektorov\u00e9 nap\u011bt\u00ed a proud a tak\u00e9 maxim\u00e1ln\u00ed ztr\u00e1tov\u00fd v\u00fdkon, jeho\u017e p\u0159ekro\u010den\u00ed m\u016f\u017ee v\u00e9st k vyho\u0159en\u00ed tranzistoru. Nem\u00e9n\u011b d\u016fle\u017eit\u00fd je v\u0161ak i jev tzv. druh\u00e9ho pr\u016frazu, kter\u00fd se u tranzistor\u016f MOSFET nevyskytuje. Jejich trvanlivost znamen\u00e1, \u017ee mohou pracovat v n\u00e1ro\u010dn\u00fdch podm\u00ednk\u00e1ch a maj\u00ed vysokou odolnost proti po\u0161kozen\u00ed. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Kdy\u017e dojde k tranzistorov\u00e9mu veden\u00ed<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Mnoho lid\u00ed se pt\u00e1, kdy za\u010d\u00edn\u00e1 veden\u00ed proudu – jak\u00e9 mus\u00ed b\u00fdt nap\u011bt\u00ed na hradle a zdroji, aby k tomuto jevu do\u0161lo? Rozhoduj\u00edc\u00edm parametrem je v tomto p\u0159\u00edpad\u011b prahov\u00e9 nap\u011bt\u00ed ozna\u010dovan\u00e9 symbolem UT. V\u00fdrobci tranzistor\u016f tento parametr ud\u00e1vaj\u00ed v\u017edy p\u0159i pevn\u011b dan\u00e9m proudu na odtoku, kter\u00fd se ozna\u010duje jako ID. Na z\u00e1klad\u011b t\u00e9to informace m\u016f\u017eeme usuzovat, \u017ee proud za\u010dne t\u00e9ct, ale nem\u016f\u017eeme si to \u00fapln\u011b p\u0159ibl\u00ed\u017eit. Pro\u010d? Inu, ka\u017ed\u00e1 firma vyr\u00e1b\u011bj\u00edc\u00ed tranzistory definuje prahov\u00e9 nap\u011bt\u00ed jin\u00fdm zp\u016fsobem. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Pou\u017eit\u00ed tranzistor\u016f MOSFET<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Pou\u017eit\u00ed tranzistor\u016f MOSFET je velmi \u0161irok\u00e9, ale nej\u010dast\u011bji se pou\u017e\u00edvaj\u00ed jako zesilova\u010de nebo sp\u00edna\u010de pro regulaci nap\u011bt\u00ed, proto\u017ee maj\u00ed velmi n\u00edzkou spot\u0159ebu energie. Jejich v\u00fdhodou p\u0159i takov\u00e9m pou\u017eit\u00ed je absence odb\u011bru proudu hradlem a n\u00edzk\u00fd odpor otev\u0159en\u00e9ho kan\u00e1lu, co\u017e se projevuje mnohem ni\u017e\u0161\u00edmi ztr\u00e1tami. Krom\u011b toho se tranzistory MOSFET doporu\u010duj\u00ed tak\u00e9 pro n\u00edzkonap\u011b\u0165ov\u00e9 obvody. Nem\u00e9n\u011b typickou oblast\u00ed pou\u017eit\u00ed popsan\u00fdch prvk\u016f jsou mikroprocesory, pam\u011bti a tak\u00e9 hradla CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor), co\u017e je technologie v\u00fdroby integrovan\u00fdch obvod\u016f. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Pou\u017eit\u00ed tranzistor\u016f MOSFET je velmi \u0161irok\u00e9, ale nej\u010dast\u011bji se tyto prvky pou\u017e\u00edvaj\u00ed jako zesilova\u010de nebo sp\u00edna\u010de pro regulaci nap\u011bt\u00ed, proto\u017ee maj\u00ed velmi n\u00edzk\u00e9 energetick\u00e9 n\u00e1roky. Jejich v\u00fdhodou p\u0159i takov\u00e9m pou\u017eit\u00ed je absence spot\u0159eby proudu hradlem a n\u00edzk\u00fd odpor otev\u0159en\u00e9ho kan\u00e1lu, co\u017e se projevuje mnohem ni\u017e\u0161\u00edmi ztr\u00e1tami. Krom\u011b toho se tranzistory MOSFET doporu\u010duj\u00ed tak\u00e9 pro n\u00edzkonap\u011b\u0165ov\u00e9 obvody. Nem\u00e9n\u011b typickou oblast\u00ed pou\u017eit\u00ed popsan\u00fdch prvk\u016f jsou mikroprocesory, pam\u011bti a tak\u00e9 hradla CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor), co\u017e je technologie v\u00fdroby integrovan\u00fdch obvod\u016f. <\/p>\n

Zaj\u00edmav\u00e9 je, \u017ee tranzistory MOSFET lze pou\u017e\u00edt jak ke sp\u00edn\u00e1n\u00ed LED diod, kter\u00e9 vy\u017eaduj\u00ed jen n\u011bkolik miliamp\u00e9r, tak i k \u0159\u00edzen\u00ed motor\u016f pracuj\u00edc\u00edch s vy\u0161\u0161\u00edm nap\u011bt\u00edm, kter\u00e9 nav\u00edc odeb\u00edraj\u00ed mnohem v\u011bt\u0161\u00ed proud. To v\u0161ak nen\u00ed v\u0161e. Tranzistory MOSFET se pou\u017e\u00edvaj\u00ed tak\u00e9 p\u0159i konstrukci frekven\u010dn\u00edch m\u011bni\u010d\u016f a pro obvody gener\u00e1tor\u016f nap\u011bt\u00ed, kde slou\u017e\u00ed jako potenciometry \u0159\u00edzen\u00e9 nap\u011bt\u00edm. Je to proto, \u017ee unipol\u00e1rn\u00ed tranzistory se dok\u00e1\u017e\u00ed chovat jako nap\u011b\u0165ov\u011b \u0159\u00edzen\u00e9 rezistory. Krom\u011b toho jsou tyto prvky ide\u00e1ln\u00ed jako zdroje konstantn\u00edho proudu, tak\u017ee je lze pou\u017e\u00edt v r\u00e1diov\u00fdch syst\u00e9mech a silnoproud\u00fdch s\u00edt\u00edch. D\u00edky sv\u00e9 vysok\u00e9 impedanci a rychlosti sp\u00edn\u00e1n\u00ed se tranzistory MOSFET ide\u00e1ln\u011b hod\u00ed do oblasti digit\u00e1ln\u00ed elektroniky. <\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Pou\u017eit\u00ed tranzistor\u016f MOSFET je velmi \u0161irok\u00e9, ale nej\u010dast\u011bji se tyto prvky pou\u017e\u00edvaj\u00ed jako zesilova\u010de nebo sp\u00edna\u010de pro regulaci nap\u011bt\u00ed, proto\u017ee maj\u00ed velmi n\u00edzk\u00e9 energetick\u00e9 n\u00e1roky. Jejich v\u00fdhodou p\u0159i takov\u00e9m pou\u017eit\u00ed je absence spot\u0159eby proudu hradlem a n\u00edzk\u00fd odpor otev\u0159en\u00e9ho kan\u00e1lu, co\u017e se projevuje mnohem ni\u017e\u0161\u00edmi ztr\u00e1tami. Krom\u011b toho se tranzistory MOSFET doporu\u010duj\u00ed tak\u00e9 pro n\u00edzkonap\u011b\u0165ov\u00e9 obvody. Nem\u00e9n\u011b typickou oblast\u00ed pou\u017eit\u00ed popsan\u00fdch prvk\u016f jsou mikroprocesory, pam\u011bti a tak\u00e9 hradla CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor), co\u017e je technologie v\u00fdroby integrovan\u00fdch obvod\u016f. <\/p>\n

Zaj\u00edmav\u00e9 je, \u017ee tranzistory MOSFET lze pou\u017e\u00edt jak ke sp\u00edn\u00e1n\u00ed LED diod, kter\u00e9 vy\u017eaduj\u00ed jen n\u011bkolik miliamp\u00e9r, tak i k \u0159\u00edzen\u00ed motor\u016f pracuj\u00edc\u00edch s vy\u0161\u0161\u00edm nap\u011bt\u00edm, kter\u00e9 nav\u00edc odeb\u00edraj\u00ed mnohem v\u011bt\u0161\u00ed proud. To v\u0161ak nen\u00ed v\u0161e. Tranzistory MOSFET se pou\u017e\u00edvaj\u00ed tak\u00e9 p\u0159i konstrukci frekven\u010dn\u00edch m\u011bni\u010d\u016f a pro obvody gener\u00e1tor\u016f nap\u011bt\u00ed, kde slou\u017e\u00ed jako potenciometry \u0159\u00edzen\u00e9 nap\u011bt\u00edm. Je to proto, \u017ee unipol\u00e1rn\u00ed tranzistory se dok\u00e1\u017e\u00ed chovat jako nap\u011b\u0165ov\u011b \u0159\u00edzen\u00e9 rezistory. Krom\u011b toho jsou tyto prvky ide\u00e1ln\u00ed jako zdroje konstantn\u00edho proudu, tak\u017ee je lze pou\u017e\u00edt v r\u00e1diov\u00fdch syst\u00e9mech a silnoproud\u00fdch s\u00edt\u00edch. D\u00edky sv\u00e9 vysok\u00e9 impedanci a rychlosti sp\u00edn\u00e1n\u00ed se tranzistory MOSFET ide\u00e1ln\u011b hod\u00ed do oblasti digit\u00e1ln\u00ed elektroniky. <\/span><\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Nejobl\u00edben\u011bj\u0161\u00ed tranzistory MOSFET<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Na trhu je \u0161irok\u00e1 \u0161k\u00e1la r\u016fzn\u00fdch typ\u016f tranzistor\u016f MOSFET, z nich\u017e nejobl\u00edben\u011bj\u0161\u00ed jsou modely IRFZ44N, IRL2703 a BSS123. Ka\u017ed\u00fd z nich m\u00e1 sv\u00e9 p\u0159ednosti, kter\u00e9 stoj\u00ed za to prozkoumat, aby bylo mo\u017en\u00e9 vybrat variantu dokonale vyhovuj\u00edc\u00ed individu\u00e1ln\u00edm pot\u0159eb\u00e1m. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Tranzistor MOSFET IRFZ44N<\/h3>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

V p\u0159\u00edpad\u011b mosfetov\u00e9ho tranzistoru IRFZ44N je nejv\u011bt\u0161\u00ed v\u00fdhodou n\u00edzk\u00fd odpor otev\u0159en\u00e9ho kan\u00e1lu 17,5 m\u03a9 a schopnost v\u00e9st vysok\u00fd proud, a\u017e 49 A. Slabinou tohoto modelu je v\u0161ak pom\u011brn\u011b vysok\u00e9 prahov\u00e9 nap\u011bt\u00ed, proto se doporu\u010duje \u0159\u00eddit jej vy\u0161\u0161\u00edm nap\u011bt\u00edm (12 V). <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Tranzistor MOSFET IRL2703<\/h3>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Tranzistor MOSFET IRL2703 je slab\u0161\u00ed ne\u017e v\u00fd\u0161e uveden\u00fd model, proto\u017ee jeho maxim\u00e1ln\u00ed proud na odtoku je 24 A, ale m\u00e1 vy\u0161\u0161\u00ed odpor otev\u0159en\u00e9ho kan\u00e1lu 40 m\u03a9. Tato varianta m\u00e1 nav\u00edc prahov\u00e9 nap\u011bt\u00ed p\u0159ibli\u017en\u011b 1V, tak\u017ee ji lze ovl\u00e1dat p\u0159\u00edmo z mikrokontrol\u00e9ru nap\u00e1jen\u00e9ho nap\u011bt\u00edm 5V. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Tranzistor MOSFET BSS123<\/h3>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

BSS123 m\u00e1 odpor otev\u0159en\u00e9ho kan\u00e1lu 10 \u03a9 (nap\u011bt\u00ed mezi hradlem a zdrojem), maxim\u00e1ln\u00ed proud odtoku je 170 mA. Tranzistor je k dispozici v mal\u00e9m ploch\u00e9m pouzd\u0159e SMD (Surface Mount Device) pro povrchovou mont\u00e1\u017e s p\u00e1jec\u00edmi koncovkami po stran\u00e1ch. <\/p>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Shrnut\u00ed<\/h4>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

Unipol\u00e1rn\u00ed tranzistory MOSFET jsou skupinou velmi praktick\u00fdch sou\u010d\u00e1stek, kter\u00e9 se rozhodn\u011b vyplat\u00ed pou\u017e\u00edvat. Jejich silnou str\u00e1nkou je vysok\u00e1 odolnost a nen\u00e1chylnost k po\u0161kozen\u00ed, d\u00edky \u010demu\u017e zaru\u010duj\u00ed efektivn\u00ed provoz ve v\u011bt\u0161in\u011b p\u0159\u00edpad\u016f, a to i v n\u00e1ro\u010dn\u00fdch a obt\u00ed\u017en\u00fdch provozn\u00edch podm\u00ednk\u00e1ch. V p\u0159\u00edpad\u011b v\u00fdkonov\u00fdch tranzistor\u016f MOSFET je po\u0161kozen\u00ed zp\u016fsoben\u00e9 statick\u00fdm n\u00e1bojem velmi vz\u00e1cn\u00e9. V p\u0159\u00edpad\u011b mal\u00fdch tranzistor\u016f MOSFET je naopak t\u0159eba m\u00edt na pam\u011bti, \u017ee se jedn\u00e1 o pom\u011brn\u011b choulostiv\u00e1 za\u0159\u00edzen\u00ed, kter\u00e1 se snadno po\u0161kod\u00ed, tak\u017ee je vhodn\u00e9 s nimi zach\u00e1zet opatrn\u011b a p\u0159edev\u0161\u00edm je spr\u00e1vn\u011b skladovat. Nejlep\u0161\u00ed je pou\u017e\u00edt \u010dernou vodivou houbu. P\u0159ed jejich instalac\u00ed je d\u016fle\u017eit\u00e9 uzemnit pracovn\u00ed stanici i hrot p\u00e1je\u010dky a tak\u00e9 vyb\u00edt sv\u00e9 t\u011blo. Takov\u00e1 velk\u00e1 opatrnost jist\u011b zabr\u00e1n\u00ed p\u0159\u00edpadn\u00e9mu po\u0161kozen\u00ed. D\u00e1le je nejd\u016fle\u017eit\u011bj\u0161\u00ed fakt, \u017ee tranzistory MOSFET pat\u0159\u00ed do obvod\u016f, ve kter\u00fdch prot\u00e9kaj\u00edc\u00ed proud z\u00e1vis\u00ed na hodnot\u011b nap\u011bt\u00ed, kter\u00e9 je na n\u011b p\u0159ivedeno, proto\u017ee tyto prvky prakticky neodeb\u00edraj\u00ed proud z \u0159\u00eddic\u00edho zdroje. <\/p>\n

<\/p>\n

<\/p>\n

Ve v\u00fd\u0161e uveden\u00e9m \u010dl\u00e1nku jsme se sna\u017eili uv\u00e9st v\u0161echny informace, kter\u00e9 pot\u0159ebuje ka\u017ed\u00fd elektronik ke spr\u00e1vn\u00e9mu pou\u017eit\u00ed tranzistor\u016f MOSFET. Poznatky o jejich specifick\u00fdch vlastnostech budou jist\u011b u\u017eite\u010dn\u00e9 pro ka\u017ed\u00e9ho z\u00e1jemce, proto\u017ee jak kutilov\u00e9, tak konstrukt\u00e9\u0159i mohou tranzistory MOSFET pou\u017e\u00edt jako sp\u00edna\u010de pro \u0159\u00edzen\u00ed nap\u011bt\u00ed prakticky ve v\u011bt\u0161in\u011b druh\u016f za\u0159\u00edzen\u00ed nebo stroj\u016f. <\/p>\n

<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t
\n\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n

Unipol\u00e1rn\u00ed tranzistory (MOSFET) – \u010casto kladen\u00e9 dotazy<\/h2>\n\n
\n
\n